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半導(dǎo)體封裝材料測(cè)試系統(tǒng)

電場(chǎng)介電損耗，漏電流測(cè)試系統(tǒng) TSDC測(cè)試系統(tǒng) 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng) 真空探針臺(tái)

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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)華測(cè)儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)高的精度溫控，高屏蔽干擾信號(hào)的循環(huán)熱風(fēng)加熱方式，在高速加熱及高速冷卻時(shí)，具有均勻的溫度分布。可實(shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，加熱箱體整體密封，無氣氛污染。
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SIR-450半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測(cè)試技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征，電阻（率）隨著溫度的上升而下降，HTRB性能之間的相關(guān)性表明，隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重，而HTRB性能越差，因此，材料的電阻率是HTRB失效測(cè)量的一個(gè)關(guān)鍵測(cè)量手段。
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半導(dǎo)體封裝材料高溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-16

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